三星电子近日宣布，已开始正式量产业内首款基于3D TSV封装技术的64GB DDR4 RDIMM内存。该款高密度高性能的内存模块不仅能推动企业级服务器和云计算环境下应用程序的不断发展，也会在数据中心解决方案的进一步多样化上起到关键性作用。

    三星电子有限公司凭借在智能手机、个人电脑、打印机、相机、家电、LTE通信设备和半导体等领域的深厚积累，正在引领全球的智能化发展。新推出的RDIMM内存由36个DDR4 DRAM芯片组成，而每片芯片又包含4颗4Gb的DDR4 DRAM裸片。这款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20纳米级制程技术和3D TSV封装技术。

    三星电子存储芯片事业部内存市场营销负责人白智淏副总裁表示：“通过推出采用3D TSV技术的尖端解决方案，三星力求加强在DRAM市场的竞争优势，并进而推动全球DRAM市场的增长。预计今年下半年下一代CPU即将问世，而DDR4市场规模也有望随之显著扩大。此次推出的采用3D TSV封装技术的高效节能型DDR4内存模块，正是三星领先主流DDR4市场的又一新作。”

    继去年首次量产3D V-NAND闪存之后，三星此次量产3D TSV内存模块标志着存储技术史上的一个新的里程碑。通过此次推出全新的TSV内存模块，三星更加稳固了其在“3D内存时代”的科技领先地位。

    据Gartner的研究报告，全球DRAM市场规模预计将于年内在金额上达到386亿美元，在容量上达到298亿Gb。其中服务器市场将约有67亿Gb，约占今年整个DRAM生产规模的20%以上。(蔚雨)