世界第三大DRAM（动态随机存储器）生产企业韩国SK海力士日前在江苏无锡举行了以“芯的飞跃、芯的未来”为主题的第二工厂竣工仪式。

    SK海力士2004年与无锡市签署建厂协议，2006年投产。当时建成的C2流水线是SK海力士的第一个300毫米晶片工厂。但随着半导体工程的精细化发展，工程程序日益复杂，设备也日益大型化，工厂空间开始拥挤。SK海力士从2017年6月开始投资建设包括无尘车间等设施的第二工厂。截至本月，此次扩建共投入了9500亿韩元，建筑面积达到5.8万平方米。

    SK海力士相关人士表示，无锡第二工厂的竣工，最大限度扩大了无锡工厂的生产和运转效率，使SK海力士拥有了中长期竞争力。据报道，这次扩建将无锡工厂的DRAM产能从原来的12万张晶片提高到了18万张，中国工厂产能占SK海力士DRAM总产能的比例也将提高到40%—50%。

    （本栏目稿件来源：《中央日报》 整编：本报驻韩国记者 邰举）