科技日报讯 （胡瑾 赖培）截至10月23日，由中国南车自主研制的大功率等级的高压IGBT产品已累计批量销售达6万只，生产线已进入满负荷运行状态，中国南车引领国内IGBT产业进入快车道。

    IGBT中文名称为绝缘栅双极晶体管，是功率变换装置的关键部件，也是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、新能源装备、船舶驱动、航空航天等国计民生的重要领域，被业界誉为绿色经济的“核芯”。

    2008年10月，南车时代电气首次跨出国门，成功收购了具备IGBT设计与制造能力的加拿大丹尼克斯半导体公司75%的股权，从而实现与国内已有功率半导体产业的互补，时隔一年之后，南车时代电气建成了我国首条具有完全自主工艺能力的IGBT产品封装线，产品陆续投放轨道交通、高压输配电、新能源等多个领域。

    与此同时，南车时代电气加快在IGBT技术体系中最为关键的芯片技术的研制。2010年，该公司在英国成立功率半导体海外研发中心，联合早先成立的国内研发中心，组建了由丁荣军院士领衔的上百名全球性研发团队，专注新一代IGBT芯片技术、新一代高功率密度IGBT模块技术和下一代碳化硅功率器件技术等技术的开发与应用，依靠国家重大科技专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”等政策的支持，南车时代电气逐渐掌握了电压等级从1200伏到6500伏不等的IGBT芯片技术、模块封装及应用测试技术。

    2012年12月，南车时代电气自主研制的轨道交通用3300伏等级电压IGBT芯片通过科技成果鉴定，这是由中国企业研制并成功批量装车应用的首款具有完全自主知识产权的IGBT芯片。

    目前，由中国南车投资15亿元，我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目也进入设备调试阶段，预计今年年底建成投产，项目建成后，可实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块的能力，该项目将完全打通芯片—模块—装置——系统应用的完整产业链。