科技日报讯 （记者俞慧友 通讯员刘亚鹏 曹婷）2013年12月27日，由中国南车株洲所研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块亮相，并通过湖南省科技厅组织的“高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发”项目鉴定，各项技术指标达国际先进水平。

    高压高功率密度IGBT具“更高功率密度、更低功耗、更高工作温度和更高可靠性”等特点。与其上一代产品相比，功耗可降低10%以上，功率密度提高25%以上，最大工作温度提升到150℃（3300V电压等级），并具更大的安全工作区特性，广泛应用与智能电网及轨道交通等领域。

    据了解，中国南车株洲从2011年开始，对该项高端技术进行自主攻关。去年12月，开发出国内首款从芯片到模块完全自主化的3300伏等级的IGBT芯片。此后，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模块，初步形成了IGBT器件技术的完整产品型谱。该所成国内唯一一家全面掌握IGBT芯片技术研发、模块封装测试和系统应用的企业。

    该项目负责人刘国友介绍，中国南车株洲所在IBGT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了30多项难题，掌握了该器件的成套技术，并在IGBT的规模化、专业化生产上形成了完整的工艺体系，产品在国内轨道交通、柔性直流输电以及矿冶领域得到批量应用。最新一代的高功率密度IGBT模块产品性能与英飞凌、ABB及三菱的同类产品性能相当，且产品的静态损耗更低。目前，项目已申报专利20项，获得授权发明专利两项，实用新型专利两项。