三星电子从本月6日起在全球量产突破半导体微细化技术极限的3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片。

    此次推出的3D V-NAND闪存芯片规格为128Gb，为业界最大容量。该产品同时采用了三星独创的“3D圆柱形电荷捕获型栅极存储单元结构技术”和“3D垂直堆叠制程技术”，与采用20纳米级单层结构的高性能NAND闪存产品相比，密度提高了两倍以上，由此显著提高了生产效率。

    三星电子此次将原来单层排列的存储单元以3D垂直堆叠方式重新排列，不仅同时实现了“结构创新”和“制程创新”，更将原有问题一并解决，为业界开创了“3D闪存芯片量产新纪元”。

    由此，三星电子成功突破了10纳米级以下半导体技术的极限，为将来推出1Tb以上大容量NAND闪存确保了技术来源，也掀开了NAND闪存技术革新的新篇章。

    三星电子存储芯片事业部闪存开发部负责人崔定爀专务表示：“过去数年间，公司全体员工为突破半导体技术极限并实现技术革新付出了辛勤劳动。公司今后将持续推出具有更高密度和更优良性能的产品，为世界IT产业的不断发展贡献力量。”

    据市场调查机构预测，世界NAND闪存芯片市场将持续增长，从今年的236亿美元增长到2016年的308亿美元。（王琪）