三星电子已全面量产高性能10nm级128Gb闪存,这是目前储存半导体中容量最大的产品。三星电子将据此全面扩大大容量内存及SSD市场，并快速推进64Gb MLC市场的升级。

    128Gb闪存是业内最高水平的大容量高性能闪存产品，它采用了以10nm级3bit MLC为基础的Toggle DDR 2.0高速用户界面，即使与20nm级64Gb MLC闪存相比，10nm级128Gb 3bit 闪存产品的生产率也提高了2倍以上。

    2010年，三星电子就已在世界上首次大批量生产了20nm级64Gb 3bit MLC闪存产品，随后搭载去年9月推出的840 SSD系列产品，大幅扩大了250Gb以上的大容量SSD市场，并进一步加快了大容量内存储市场从20nm级64Gb MLC升级到64Gb 3bit的进程。今年，128Gb 3bit MLC闪存产品不仅将确保扩大128Gb内存市场，而且很有希望全面扩大能转变HDD市场500Gb以上的大容量SSD市场，并同时推进SSD大众化时代的提早到来。

    三星电子存储器事业部战略营销部全永铉副社长表示，“通过此次高性能128Gb 闪存的量产，将持续强化三星产品在大容量存储器市场上的产品竞争力。未来，我们将适时推出新一代更高品质的存储产品，积极应对全球客户日益增长的存储产品需求。”（晓琪）