本报讯 （通讯员何晓源 党昊祺 记者乔地）郑州大学物理工程学院教授李新建研究组从半导体异质结的发光原理出发，在国际上首次提出一种新的NIR LED发光机理和器件设计理念，制备出GaN/Si纳米异质结构近红外发光二极管，为近红外二极管的设计和制造提供了新的可能。该研究成果已发表在国际重要期刊Advanced Materials 上，被审稿专家评价为“此项研究为硅基氮化镓近红外发光二极管的设计和制造提供了一种崭新的途径”。

    据介绍，红外技术在国防工业、地质探测、光纤通信、环境监控、生物成像、食品医药、农业检测等领域扮演着重要角色。红外技术的发展关键在于红外材料的研制、红外设备的制冷、红外设备向更长波段发展、红外焦平面阵列器件的研制和红外设备与数据处理设备的结合等。近红外发光二极管（NIR LED）由于具有体积小、功耗低、稳定性高、寿命长等优点而成为新一代近红外光源的主导技术。